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2SC4770-2

更新时间： 2024-02-19 23:15:04

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无锡固电 - ISC		/
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4页	175K
描述
Transistor

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2SC4770-2 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	800 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	4	最大降落时间（tf）：	200 ns
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	3 W	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	3200 ns
VCEsat-Max：	5 V

2SC4770-2 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC4770

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·High breakdown voltage, high reliability.

·High speed

APPLICATIONS

·Ultrahigh-definition color display

·Horizontal deflection output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

1500

Open base

800

Open collector

I_CM

Collector current-peak

T_C=25℃

℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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