2SC4664

更新时间： 2024-11-20 05:57:43

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	117K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC4664 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SC4664 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC4664

DESCRIPTION

·With ITO-220 package

·Switching power transistor

·Low collector saturation voltage

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (ITO-220) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

250

Open base

200

Open collector

I_CM

Collector current-Peak

Base current

I_B

I_BM

Base current-Peak

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction case

4.17

℃/W

12 3

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