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2SC4664

更新时间： 2024-02-28 01:23:43

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新电元 - SHINDENGEN		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	286K
描述
Switching Power Transistor(8A NPN)

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2SC4664 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	19
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	30 W
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	13 MHz	最大关闭时间（toff）：	1100 ns
最大开启时间（吨）：	300 ns	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

2SC4664 数据手册

SHINDENGEN

Switching Power Transistor

FS Series

OUTLINE DIMENSIONS

2SC4664

Case : ITO-220

(TP8V20FS)

Unit : mm

8A NPN

RATINGS

●AbsoluteMaximum Ratings

Item

StorageTemperature

Symbol

Tstg

V_CBO

V_CEO

V_EBO

Conditions

Ratings Unit

-55～150 ℃

JunctionTemperature

150

250

200

℃

CollectortoBaseVoltage

CollectortoEmitterVoltage

EmittertoBaseVoltage

CollectorCurrent DC

CollectorCurrent Peak

BaseCurrent DC

Base Current Peak

TotalTransistorDissipation

P_T

Vdis

TOR

Tc = 25℃

0.5

N･m

DielectricStrength

MountingTorque

Terminalstocase, AC 1minute

(Recommendedtorque:0.3N･m)

●ElectricalCharacteristics(Tc=25℃)

Item

CollectortoEmitterSustainingVoltage

Conditions

Symbol

V_CEO(sus)

Ratings Unit

Min200

I =0.1A

CollectorCutoffCurrent

AtratedVoltage

Max0.1 mA

Max0.1

CBO

CEO

EmitterCutoffCurrent

DC CurrentGain

AtratedVoltage

Max0.1 mA

10～25^*1

Min10

EBO

h_FE

h_FEL

V_CE=2V, I =4A

V_CE=2V, I =1mA

CollectortoEmitterSaturationVoltage

V (sat) I =4A

Max1.0

Max1.5

Max4.17 ℃/W

TYP 13 MHz

Max0.3

BasetoEmitterSaturationVoltage

ThermalResistance

TransitionFrequency

TurnonTime

V (sat) I =0.8A

θjc

Junctiontocase

V_CE=10V, I =0.8A

ton

I =4A

StorageTime

I =0.8A, I =1.6A

B1 B2

Max1.0 μs

Max0.1

FallTime

R_L=37.5Ω, V_BB2=4V

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2SC4664N	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-247VAR	获取价格
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