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2SC4663M

更新时间: 2024-02-24 05:14:17
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页数 文件大小 规格书
2页 282K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-247VAR

2SC4663M 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.85
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:200 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):19JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:2
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:25 W最大功率耗散 (Abs):25 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):13 MHz
最大关闭时间(toff):1100 ns最大开启时间(吨):300 ns
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

2SC4663M 数据手册

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