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2SC4597

更新时间： 2024-01-07 01:48:25

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2页	74K
描述
Surface mount type device making the following possible. Adoption of MBIT process.

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2SC4597 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.2	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	40 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	最大关闭时间（toff）：	2800 ns
最大开启时间（吨）：	500 ns	VCEsat-Max：	0.8 V
Base Number Matches：	1

2SC4597 数据手册

SMD Type

Transistors

Product specification

2SC4597

Features

TO-263

Unit: mm

Surface mount type device making the following possible.

Reduction in the number of manufacturing processes

for 2SC4597-applied equipment.

High density surface mount applications.

Small size of 2SC4597-applied equipment.

High breakdown voltage, high reliability.

Fast switching speed.

+0.2

4.57

-0.2

+0.1

1.27

-0.1

+0.1

1.27

-0.1

0.1max

Wide ASO.

+0.1

0.81

-0.1

Adoption of MBIT process.

2.54

1,Base

+0.2

2.54

-0.2

+0.1

5.08

-0.1

+0.2

0.4

-0.2

2,Collector

3,Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

500

400

Unit

Collector current ( DC)

Collector current (Pulse) *

Base current

I^CP

I^B

1.5

1.65

Collector power dissipation Ta = 25

T^C= 25

P^C

Junction temperature

T^j

150

Storage temperature range

T^stg

-55 to +150

* PW 300ms, duty cycle 10%

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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