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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220FP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.74 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4596E | Wing Shing |
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SILICON EPITAXIAL PLANNAR TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) |
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| 2SC4596E | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC4596F | ISC |
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Transistor |
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| 2SC4596F | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC4597 | SANYO |
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Switching Regulator Applications |
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| 2SC4597 | KEXIN |
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Silicon NPN Triple Diffused Type |
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| 2SC4597 | TYSEMI |
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Surface mount type device making the following possible. Adoption of MBIT process. |
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| 2SC4597L | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SC4597M | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SC4597N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-252VAR |
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