5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220FP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.74 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4596E | Wing Shing |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL PLANNAR TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) |
|
| 2SC4596E | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| 2SC4596F | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SC4596F | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| 2SC4597 | SANYO |
获取价格 |
Switching Regulator Applications |
|
| 2SC4597 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused Type |
|
| 2SC4597 | TYSEMI |
获取价格 |
Surface mount type device making the following possible. Adoption of MBIT process. |
|
| 2SC4597L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-252VAR |
|
| 2SC4597M | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-252VAR |
|
| 2SC4597N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-252VAR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
