5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220FP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 12 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4595D | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2SC4595E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220VAR |
|
| 2SC4595F | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2SC4596 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC4596 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
|
| 2SC4596 | ROHM |
获取价格 |
TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
|
| 2SC4596 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
|
| 2SC4596/D | ROHM |
获取价格 |
5A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP, TO-220FP, 3 PIN |
|
| 2SC4596/DE | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| 2SC4596/DF | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
