2SC4570

更新时间： 2024-11-19 22:40:03

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
8页	68K
描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD

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2SC4570 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.68	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
基于收集器的最大容量：	0.9 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5500 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

2SC4570 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC4570

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

SUPER MINI MOLD

DESCRIPTION

The 2SC4570 is a low supply voltage transistor designed for UHF

OSC/MIX.

PACKAGE DIMENSIONS

(Units: mm)

2.1±0.1

1.25±0.1

It is suitable for a high density surface mount assembly since the

transistor has been applied super mini mold package.

FEATURES

•

High f^T: 5.5 GHz TYP. (@ V^CE= 5 V, I^C= 5 mA, f = 1 GHz)

Low C^ob: 0.7 pF TYP. (@ V^CB= 5 V, I^E= 0, f = 1 MHz)

Super Mini Mold Package. (EIAJ : SC-70)

ORDERING INFORMATION

Marking

PART

QUANTITY

NUMBER

PACKING STYLE

2SC4570-T1 3 kpcs./Reel Embossed tape 8 mm wide. Pin 3 (Collector) face

to perforation side of the tape.

2SC4570-T2 3 kpcs./Reel Embossed tape 8 mm wide. Pin 1 (Emitter), Pin 2

(Base) face to perforation side of the tape.

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

* Please contact with responsible NEC person, if you require evaluation

sample. Unit sample quantity shall be 50 pcs. (Part No.: 2SC4570)

3. Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

120

T^j

125

T^stg

55 to +125

Document No. P10408EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TC-2434)

Date Published March 1997 N

Printed in Japan

1993

12 3 4 5 6 7 8

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与2SC4570相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4570(NE58130)	ETC	获取价格	Discrete
2SC4570-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4570-T1	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
2SC4570-T1-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4570-T1T72	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4570-T1-T72	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
2SC4570-T1T72-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4570-T1T73	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4570-T1T73-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4570-T1T74	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili

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