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2SC4548-E-TP

更新时间： 2024-11-18 20:47:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 103K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SC4548-E-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.64
湿度敏感等级：1峰值回流温度（摄氏度）：260
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

2SC4548-E-TP 数据手册

 浏览型号2SC4548-E-TP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
2SC4548-D  
2SC4548-E  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
Features  
·
•
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Small Flat Package  
NPN Epitaxial  
Planar Silicon  
•
•
•
Low collector-to-emitter saturation voltage.  
Fast switching speed.  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
•
Moisture Sensitivity Level 1  
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
ꢀ
Transistors  
•
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Maximum Ratings  
ꢀ
ꢀ
SOT-89  
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Symbol  
Rating  
Rating  
400  
Unit  
V
V
V
ꢀ
ꢀ
VCEO  
Collector-Emitter Voltage  
ꢀ
ꢀ
VCBO  
VEBO  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
400  
5.0  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
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ꢀ
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A
ꢀ
K
ꢀ
B
IC  
Collector Current  
0.2  
A
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
PC  
TJ  
TSTG  
Collector dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
500  
-55 to +150  
-55 to +150  
mW  
OC  
ꢀ
ꢀ
OC  
ꢀ
E
ꢀ
C
ꢀ
ꢀ
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
ꢀ
ꢀ
D
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ Max  
Units  
ꢀ
ꢀ
G
H
ꢀ
OFF CHARACTERISTICS  
ꢀ
J
ꢀ
F
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
400  
400  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
(I =1.0mAdc,I =0)  
C
B
ꢀ
ꢀ
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
ꢀ
ꢀ
(I =10uAdc, IC=0)  
E
1
2
3
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Collector Cutoff Current  
(VCB=300Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=4.0Vdc, IC=0)  
0.1  
0.1  
uAdc  
mAdc  
1. Base  
IEBO  
---  
ꢀ
2. Collector  
3. Emitter  
ON CHARACTERISTICS  
ꢀ
hFE  
DC Current Gain  
(IC=50mAdc, VCE=10Vdc)  
60  
---  
200  
---  
ꢈꢀꢇꢄꢁꢅꢀꢁꢅꢆ  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=50mAdc, IB=5mAdc)  
0.6  
ꢈꢀꢇꢆ  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
ꢇꢇꢆ  
ꢁꢋꢌꢄꢅꢆ  
ꢆ
Vdc  
Vdc  
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ꢇꢀꢁꢆ  
ꢒꢍꢐꢓꢆ  
1.55  
ꢇꢉꢊꢆ  
ꢒꢍꢔꢕꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚ  
ꢉꢆ  
ꢖ
ꢍꢎꢑꢎꢆ  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=50mAdc, IB=5mAdc)  
1.0  
.061  
ꢚꢚꢚꢚꢚ  
REF.  
ꢆ
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ꢍꢕꢎꢔꢆ  
ꢍꢕꢔꢐꢆ  
ꢐꢍꢓꢎꢆ  
ꢕꢍꢑꢕꢆ  
ꢘꢍꢐꢒꢆ  
ꢐꢍꢕꢕꢆ  
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ꢕꢍꢐꢑꢆ  
ꢕꢍꢐꢑꢆ  
ꢎꢍꢒꢕꢆ  
ꢒꢍ25ꢆ  
ꢎꢍꢕꢕꢆ  
ꢘꢍꢗꢒꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
ꢆ
ꢆ
fT  
Gain-Bandwidth product  
(VCE=30V, IC=10mA, )  
Out Capacitance  
---  
---  
70  
---  
---  
MHz  
pF  
ꢌꢛꢜꢆ  
ꢕꢍꢒꢑꢆ  
ꢕꢍꢗꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
Cob  
4
(VCB=30V, f=1.0MHz,IE=0)  
 ꢆ  
hFE[1] CLASSIFICATION  
Rank  
D
E
Range  
Marking  
60-120  
100-200  
CN  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: B  
2013/01/01  
12

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