2SC4542

更新时间： 2024-01-08 07:02:05

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	223K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC4542 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4542 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC4542

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage-

: V_CBO= 1500V (Min)

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Horizontal deflection output for high resolution display.

·High speed switching regulator output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current- Continuous

Collector Current- Peak

Base Current

VALUE

1500

600

UNIT

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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