2SC4529

更新时间： 2024-11-09 21:55:31

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日立 - HITACHI		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管局域网
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描述
Silicon NPN Epitaxial VHF Wide Brand Amplifier

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2SC4529 数据手册

2SC4529

Silicon NPN Epitaxial

VHF Wide Band Amplifier

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

TO-126 MOD

Item

Symbol Rating Unit

————————————————————–

Collector to base voltage

V_CBO

————————————————————–

Collector to emitter voltage V_CEO

————————————————————–

Emitter to base voltage

V_EBO

————————————————————–

Collector current

I_C

300

————————————————————–

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Collector peak current

i_C(peak)500

————————————————————–

Collector power dissipation P_C

——–———–

P_C

————————————————————–

Junction temperature

150

°C

————————————————————–

Storage temperature

Tstg

–55 to °C

+150

————————————————————–

Note: 1. Value at T_C= 25°C.

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min Typ Max Unit Test condition

———————————————————————————————————————————

Collector to base breakdown voltage

V_(BR)CBO30

—

I_C= 100 µA, I_E= 0

———————————————————————————————————————————

Collector to emitter breakdown voltage

V_(BR)CEO20

—

I_C= 1 mA, R_BE= ∞

———————————————————————————————————————————

Collector cutoff current

I_CBO

—

1.0

µA

V_CB= 25 V, I_E= 0

———————————————————————————————————————————

Emitter cutoff Current

I_EBO

—

µA

V_EB= 3 V, I_C= 0

———————————————————————————————————————————

DC current transfer ratio

h_FE

—

200

V_CE= 5 V, I_C= 50 mA

———————————————————————————————————————————

Collector to emitter saturation voltage

V_CE(sat)

—

1.0

I_C= 100 mA, I_B= 10 mA

———————————————————————————————————————————

Gain bandwidth product

f_T

1.5

2.2

—

GHz V_CE= 5 V, I_C= 50 mA

———————————————————————————————————————————

Collector output capacitance

Cob

—

4.7

—

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

———————————————————————————————————————————

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