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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC4517A
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2SC4517A

更新时间： 2024-11-09 22:52:43
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体稳压器开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose)

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2SC4517A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.85Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：550 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：6 MHzBase Number Matches：1

2SC4517A 数据手册

  
2 S C4 5 1 7 /4 5 1 7 A  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage Switchihg Transistor)  
Application : Switching Regulator and General Purpose  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
External Dimensions FM20(TO220F)  
Symbol 2SC4517 2SC4517A  
Symbol  
2SC4517 2SC4517A  
Unit  
Conditions  
Unit  
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
900  
1000  
100max  
100max  
550min  
10 to 30  
0.5max  
1.2max  
6typ  
µA  
µA  
V
V
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
ICBO  
VCB=800V  
VEB=7V  
550  
7
IEBO  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=10mA  
±0.2  
ø3.3  
a
b
3(Pulse6)  
1.5  
A
VCE=4V, IC=1A  
IC=1A, IB=0.2A  
IC=1A, IB=0.2A  
VCE=12V, IE=–0.25A  
VCB=10V, f=1MHz  
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
A
30(Tc=25°C)  
150  
PC  
W
°C  
°C  
±0.15  
1.35  
Tj  
MHz  
pF  
±0.15  
1.35  
35typ  
Tstg  
–55 to +150  
COB  
+0.2  
-0.1  
0.85  
2.54  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
±0.2  
2.2  
VCC  
(V)  
RL  
IC  
VBB1  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
tstg  
tf  
ton  
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
(Ω)  
(A)  
(V)  
(A)  
(A)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
B
C E  
250  
250  
1
10  
–5  
0.15  
–0.45  
4max  
0.5max  
0.7max  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat),VBE(sat) IC Temperature Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
3
3
2
1
0
1.5  
IC/IB=5 Const.  
2
1
1.0  
VBE(sat)  
0.5  
VCE(sat)  
0
0
0
1
2
3
4
0.03 0.05  
0.1  
0.5  
1
5
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
Collector Current IC(A)  
–
–
–
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
ton•tstg•tf IC Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
4
1
7
5
50  
125˚C  
25˚C  
tstg  
VCC 250V  
IC:IB1:IB2=1:0.15:–0.45  
1
–55˚C  
tf  
0.5  
10  
ton  
0.5  
0.3  
0.1  
0.2  
5
1
10  
100  
1000  
0.5  
1
3
0.02  
0.05  
0.1  
0.5  
1
3
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Reverse Bias Safe Operating Area  
–
Pc Ta Derating  
10  
5
10  
5
30  
20  
10  
1
1
0.5  
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
L=3mH  
IB2=–1.0A  
Duty:less than 1%  
0.1  
0.1  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
0.05  
0.05  
Without Heatsink  
2SC4517A  
1000  
2SC4517  
2
0
0.01  
2
0.01  
5
10  
50 100  
500 1000  
50  
100  
500  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
112  
1

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