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2SC4512

更新时间： 2024-09-19 22:52:43
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三垦 - SANKEN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SC4512 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：50 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

2SC4512 数据手册

  
2 S C4 5 1 2  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1726)  
Application : Audio and General Purpose  
(Ta=25°C)  
External Dimensions MT-25(TO220)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
Symbol  
2SC4512  
Symbol  
ICBO  
2SC4512  
Conditions  
VCB=120V  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
±0.2  
4.8  
±0.2  
10.2  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
10max  
10max  
80min  
±0.1  
2.0  
120  
V
IEBO  
80  
VEB=6V  
V
V(BR)CEO  
hFE  
6
IC=25mA  
V
±0.2  
ø3.75  
a
50min  
6
3
VCE=4V, IC=2A  
IC=5A, IB=0.2A  
VCE=12V, IE=–0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
A
b
IB  
VCE(sat)  
fT  
0.5max  
20typ  
V
MHz  
pF  
A
PC  
50(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
1.35  
Tj  
COB  
110typ  
+0.2  
-0.1  
Tstg  
–55 to +150  
0.65  
hFE Rank O(50 to100), P(70 to140), Y(90 to180)  
2.5  
2.5  
1.4  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C E  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
Weight : Approx 2.6g  
a. Type No.  
30  
10  
3
10  
–5  
0.3  
–0.3  
0.16typ  
2.60typ  
0.34typ  
b. Lot No.  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
6
6
3
4
2
0
2
4
2
0
30mA  
20mA  
1
IB=10mA  
IC=6A  
4A  
2A  
0.5  
Base Current IB(A)  
0
0
1
2
3
4
0
1.0  
1.5  
0
1
2
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
5
300  
100  
200  
125˚C  
100  
50  
25˚C  
Typ  
–30˚C  
1
50  
30  
0.5  
0.4  
20  
0.02  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
0.5  
Collector Current IC(A)  
0.1  
0.5  
1
5 6  
0.02  
0.1  
1
5 6  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
20  
50  
40  
30  
20  
10  
5
100ms  
40  
30  
20  
10  
Typ  
1
0.5  
10  
0
Without Heatsink  
Natural Cooling  
0.1  
Without Heatsink  
2
0
0.05  
–0.02  
–0.1  
–1  
–6  
3
5
10  
50  
100  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
111  
1

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