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2SC4495

更新时间： 2024-09-19 22:39:59
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三垦 - SANKEN 晶体晶体管温度补偿放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio Temperature Compensation and General Purpose)

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2SC4495 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220F, FM20, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.25外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：500
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

2SC4495 数据手册

  
Hig h h FE  
LOW VCE (s a t )  
2 S C4 4 9 5  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor  
Application : Audio Temperature Compensation and General Purpose  
■
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
External Dimensions FM20(TO220F)  
2SC4495  
Symbol  
ICBO  
2SC4495  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Conditions  
Unit  
V
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
80  
10max  
10max  
50min  
VCB=80V  
IEBO  
50  
VEB=6V  
V
V(BR)CEO  
hFE  
6
IC=25mA  
V
±0.2  
ø3.3  
a
b
500min  
0.5max  
40typ  
3
1
VCE=4V, IC=0.5A  
IC=1A, IB=20mA  
VCE=12V, IE=–0.1A  
VCB=10V,f=1MHz  
A
VCE(sat)  
fT  
IB  
V
MHz  
pF  
A
PC  
25(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
±0.15  
1.35  
COB  
30typ  
Tj  
±0.15  
1.35  
Tstg  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
0.85  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
2.54  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
±0.2  
2.2  
RL  
IC  
VBB1  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
ton  
tstg  
tf  
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
VCC  
(V)  
(Ω)  
(A)  
(V)  
(mA)  
(mA)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
B
C E  
20  
1
10  
–5  
15  
–30  
0.45typ  
1.60typ  
0.85typ  
20  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
1.5  
3
3
2.5  
2
2
1
0
1
1.5  
1
2mA  
0.5  
3A  
1mA  
2A  
IB=0.5mA  
0.5  
IC=1A  
0
0
0
1
2
3
4
5
6
1
10  
100  
1000  
0
0.5  
1
1.5  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
7
5
3000  
5000  
125˚C  
25˚C  
Typ  
–55˚C  
1000  
500  
1000  
500  
100  
50  
100  
0.01  
20  
0.01  
1
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
0.1  
0.5  
1
3
0.1  
0.5  
1
3
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
30  
20  
10  
10  
5
60  
40  
Natural Cooling  
Silicone Grease  
Heatsink: Aluminum  
in mm  
Typ  
1
150x150x2  
100x  
0.5  
20  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
50x50x2  
0.1  
Without Heatsink  
2
0
0
–0.005 –0.01  
0.05  
–0.1  
Emitter Current IE(A)  
–1  
3
5
50  
100  
10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
109  
1

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