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2SC4445

更新时间： 2024-11-07 22:39:59
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三垦 - SANKEN 晶体稳压器开关晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose)

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2SC4445 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3PF
包装说明：TO-3PF, FM100, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.4
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：800 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：60 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：15 MHz
Base Number Matches：1

2SC4445 数据手册

  
2 S C4 4 4 5  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage and High Speed Switchihg Transistor)  
Application : Switching Regulator and General Purpose  
(Ta=25°C)  
External Dimensions FM100(TO3PF)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
Symbol  
ICBO  
2SC4445  
900  
Conditions  
VCB=800V  
2SC4445  
Symbol  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
±0.2  
3.45  
100max  
100max  
800min  
10 to 30  
0.5max  
1.2max  
15typ  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
V
IEBO  
VEB=7V  
800  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=10mA  
7
V
±0.2  
ø3.3  
VCE=4V, IC=0.7A  
IC=0.7A, IB=0.14A  
IC=0.7A, IB=0.14A  
VCE=12V, IE=–0.3A  
VCB=10V, f=1MHz  
3(Pulse6)  
1.5  
A
a
b
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IB  
V
V
A
PC  
60(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
1.75  
2.15  
0.8  
Tj  
MHz  
pF  
COB  
50typ  
Tstg  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
1.05  
+0.2  
±0.1  
1.5  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
4.4  
C
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
ton  
(µs)  
tf  
(µs)  
Weight : Approx 6.5g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
IB2  
(A)  
tstg  
(µs)  
B
E
–5  
0.1  
0.7max  
0.7max  
250  
357  
0.7  
10  
–0.35  
4max  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat),VBE(sat) IC Temperature Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(IC/IB=5)  
(VCE=4V)  
3
3
IB=700mA  
VCE(sat)  
2
–55˚C (Case Temp)  
25˚C (Case Temp)  
125˚C (Case Temp)  
2
1
2
1
0
100mA  
VBE(sat)  
1
0
0.01  
0
0
1
2
3
4
0.05  
0.1  
0.5  
1
3
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
Collector Current IC(A)  
–
–
–
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
ton•tstg•tf IC Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
4
1
7
5
50  
125˚C  
25˚C  
tstg  
VCC 250V  
IC:IB1:–IB2=10:1.5:5  
–55˚C  
1
10  
tf  
0.5  
5
ton  
0.5  
0.3  
0.1  
0.1  
2
1
10  
100  
1000  
0.5  
Collector Current IC(A)  
1
2
0.01  
0.05  
0.1  
0.5  
1
3
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Reverse Bias Safe Operating Area  
–
Pc Ta Derating  
10  
5
10  
5
60  
40  
20  
1
1
0.5  
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
L=3mH  
IB2=–1.0A  
Duty:less than 1%  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
0.1  
0.1  
Without Heatsink  
3.5  
0
0.05  
0.05  
5
10  
50  
100  
500 1000  
5
10  
50  
100  
500 1000  
0
50  
100  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
105  
1

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2SC4445_01 SANKEN

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