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2SC4434

更新时间： 2024-09-20 22:52:43
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体稳压器开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator, Lighting Inverter, and General Purpose)

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2SC4434 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.46
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：120 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHzBase Number Matches：1

2SC4434 数据手册

  
2 S C4 4 3 4  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage and High Speed Switchihg Transistor)  
Application : Switching Regulator, Lighting Inverter, and General Purpose  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
(Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
■Absolute maximum ratings  
(Ta=25°C)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Symbol  
Conditions  
2SC4434  
2SC4434  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
±0.1  
2.0  
9.6  
ICBO  
VCB=500V  
100max  
100max  
400min  
10 to 25  
0.7max  
1.3max  
10typ  
500  
V
IEBO  
VEB=10V  
400  
10  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=25mA  
V
a
b
±0.1  
ø3.2  
VCE=4V, IC=8A  
IC=8A, IB=1.6A  
IC=8A, IB=1.6A  
VCE=12V, IE=–1.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
15(Pulse30)  
5
A
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
A
PC  
120(Tc=25°C)  
150  
2
W
°C  
°C  
Tj  
MHz  
pF  
3
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
Tstg  
COB  
1.05  
0.65  
1.4  
135typ  
–55 to +150  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C
E
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
Weight : Approx 6.0g  
a. Type No.  
tf  
(µs)  
b. Lot No.  
200  
25  
8
10  
–5  
1.6  
–3.2  
0.5max  
2.0max  
0.15max  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat),VBE(sat) IC Temperature Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(IC/IB=5)  
(VCE=4V)  
15  
10  
8
14  
12  
10  
400mA  
1
6
VBE(sat)  
8
6
4
4
2
2
VCE(sat)  
0
0.05 0.1  
0
0
0
1
2
3
4
0.5  
1
5
10  
0
0.5  
1.0  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
Collector Current IC(A)  
–
–
–
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
ton•tstg•tf IC Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
2
5
50  
150˚C  
75˚C  
25˚C  
tstg  
1
VCC 200V  
IC:IB1:–IB2=5:1:2  
1
0.5  
0.5  
ton  
10  
5
0.1  
0.05  
tf  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.5  
1
5
10  
15  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10 15  
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Reverse Bias Safe Operating Area  
–
Pc Ta Derating  
40  
120  
100  
40  
10  
5
10  
5
50  
1
1
Without Heatsink  
Natural Cooling  
L=3mH  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
0.5  
0.5  
IB2=–1A  
Duty:less than 1%  
Without Heatsink  
3.5  
0
0.1  
0.1  
5
5
10  
50  
100  
500  
10  
50  
100  
500  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
104  
1

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