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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC4381
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2SC4381

更新时间： 2024-11-23 22:39:59
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率双极晶体管电视驱动放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(TV Vertical Output, Audio Output Driver and General Purpose)

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2SC4381 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220F, FM20, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.26Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：15 MHzBase Number Matches：1

2SC4381 数据手册

  
2 S C4 3 8 1 /4 3 8 2  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1667/1668)  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Electrical Characteristics  
Application : TV Vertical Output, Audio Output Driver and General Purpose  
■
■
(Ta=25°C)  
External Dimensions FM20(TO220F)  
Symbol  
Unit  
Symbol  
Conditions  
2SC4381 2SC4382  
2SC4381 2SC4382  
Unit  
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
150  
150  
200  
200  
V
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
10max  
200  
10max  
150min 200min  
60min  
µA  
V
ICBO  
VCB=  
150  
6
2
1
V
IEBO  
VEB=6V  
µA  
V
±0.2  
ø3.3  
a
b
A
V(BR)CEO  
hFE  
IC=25mA  
IB  
A
VCE=10V, IC=0.7A  
IC=0.7A, IB=0.07A  
VCE=12V, IE=–0.2A  
VCB=10V, f=1MHz  
PC  
VCE(sat)  
fT  
25(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
1.0max  
15typ  
V
MHz  
pF  
±0.15  
1.35  
Tj  
±0.15  
1.35  
Tstg  
COB  
–55 to +150  
35typ  
+0.2  
-0.1  
0.85  
2.54  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
±0.2  
2.2  
VCC  
(V)  
RL  
IC  
VBB1  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
ton  
tstg  
tf  
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
(Ω)  
(A)  
(V)  
(mA)  
(mA)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
B
C E  
20  
20  
1
10  
–5  
100  
–100  
1.0typ  
3.0typ  
1.5typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=10V)  
3
2
2
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
2
1
0
1
IB=5mA/Step  
0
0
0
2
4
6
8
10  
2
10  
100  
1000  
0
0.5  
1.0  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=10V)  
(VCE=10V)  
6
400  
400  
Typ  
100  
100  
1
50  
30  
50  
30  
0.5  
1
10  
100  
1000  
0.01  
0.1  
Collector Current IC(A)  
1
2
0.01  
0.1  
1
2
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
30  
20  
10  
0
5
1
30  
20  
10  
Typ  
0.1  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
1.2SC4381  
2.2SC4382  
Without Heatsink  
1
2
0.01  
0
1
10  
100  
300  
–0.01  
–0.1  
–0.5  
–1  
–2  
0
50  
100  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
101  
1

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2SC4381 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC4883 SANKEN

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