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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC4301
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2SC4301

更新时间： 2024-11-17 22:52:43
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体稳压器开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator, Lighting Inverter and General Purpose)

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2SC4301 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3PF
包装说明：TO-3PF, FM100, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：1.83
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：7 A集电极-发射极最大电压：800 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：80 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：6 MHzBase Number Matches：1

2SC4301 数据手册

  
2 S C4 3 0 1  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage Switchihg Transistor)  
Application : Switching Regulator, Lighting Inverter and General Purpose  
External Dimensions FM100(TO3PF)  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
■Absolute maximum ratings  
■Electrical Characteristics  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Symbol  
Conditions  
2SC4301  
2SC4301  
900  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
±0.2  
3.45  
ICBO  
VCB=800V  
100max  
100max  
800min  
10 to 30  
0.5max  
1.2max  
6typ  
V
IEBO  
VEB=7V  
800  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=10mA  
7
V
±0.2  
ø3.3  
VCE=4V, IC=3A  
IC=3A, IB=0.6A  
IC=3A, IB=0.6A  
VCE=12V, IE=–1A  
VCB=10V, f=1MHz  
7(Pulse14)  
3.5  
A
a
b
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
A
PC  
80(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
1.75  
2.15  
0.8  
Tj  
MHz  
pF  
Tstg  
COB  
105typ  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
1.05  
+0.2  
±0.1  
1.5  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
4.4  
C
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
Weight : Approx 6.5g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
B
E
250  
83  
3
10  
–5  
0.45  
–1.5  
1max  
5max  
1max  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat),VBE(sat) IC Temperature Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(IC/IB=5)  
(VCE=4V)  
1A  
7
6
4
2
0
6
4
2
VBE(sat)  
1
200mA  
IB=100mA  
VCE(sat)  
0.5  
0
0.02 0.05 0.1  
0
0
1
2
3
4
1
5 7  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
Collector Current IC(A)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
ton•tstg•tf IC Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
2
50  
10  
5
tstg  
25˚C  
VCC 250V  
1
IC:IB1:IB2=2:0.3:–1 Const.  
0.5  
1
tf  
10  
5
0.5  
ton  
0.2  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.02  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
7
0.5  
1
5
7
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Reverse Bias Safe Operating Area  
–
Pc Ta Derating  
20  
10  
5
20  
10  
5
80  
60  
40  
1
1
Without Heatsink  
Natural Cooling  
L=3mH  
0.5  
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
20  
IB2=–1.0A  
Duty :less than1%  
Without Heatsink  
3.5  
0
0.1  
50  
0.1  
50  
100  
500  
1000  
100  
500  
1000  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
99  
1

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2SC4301 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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