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2SC4296

更新时间： 2024-09-17 22:52:43
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体稳压器开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose)

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2SC4296 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3PF包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.85外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：75 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHzBase Number Matches：1

2SC4296 数据手册

  
2 S C4 2 9 6  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage and High Speed Switchihg Transistor)  
Application : Switching Regulator and General Purpose  
External Dimensions FM100(TO3PF)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
■
2SC4296  
2SC4296  
100max  
100max  
400min  
10 to 30  
0.5max  
1.3max  
10typ  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Unit  
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
±0.2  
3.45  
500  
400  
VCB=500V  
V
IEBO  
VEB=10V  
V
10  
V(BR)CEO  
hFE  
IC=25mA  
V
±0.2  
ø3.3  
VCE=4V, IC=6A  
IC=6A, IB=1.2A  
IC=6A, IB=1.2A  
VCE=12V, IE=–0.7A  
VCB=10V, f=1MHz  
10(Pulse20)  
4
A
a
b
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IB  
V
V
A
PC  
75(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
1.75  
2.15  
0.8  
Tj  
MHz  
pF  
COB  
85typ  
Tstg  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
1.05  
+0.2  
±0.1  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
1.5  
4.4  
VCC  
(V)  
RL  
IC  
VBB1  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
tstg  
tf  
ton  
Weight : Approx 6.5g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
(Ω)  
(A)  
(V)  
(A)  
(A)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
B
C
E
200  
33  
6
10  
–5  
0.6  
–1.2  
3max  
0.5max  
1max  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat),VBE(sat) IC Temperature Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
(IC/IB=5)  
10  
10  
8
1.4  
8
6
4
2
0
1
400mA  
6
VBE(sat)  
4
2
VCE(sat)  
0
0.02  
0
0
1
2
3
4
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
Collector Current IC(A)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
ton•tstg•tf IC Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
3
1
10  
5
100  
tstg  
125˚C  
25˚C  
50  
VCC 200V  
IC:IB1:–IB2=10:1:2  
–55˚C  
1
0.5  
ton  
0.5  
0.3  
10  
5
tf  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.5  
1
5
10  
0.02  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Reverse Bias Safe Operating Area  
–
Pc Ta Derating  
30  
80  
30  
10  
5
10  
5
60  
40  
1
1
0.5  
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
L=3mH  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
20  
0.1  
0.1  
–IB2=1A  
Duty:less than 1%  
0.05  
0.05  
Without Heatsink  
3.5  
0
0.02  
0.02  
5
10  
50  
100  
500  
5
10  
50  
100  
500  
0
50  
100  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
94  
1

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