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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.77 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 800 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 100 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 8 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 3800 ns | 最大开启时间（吨）： | 500 ns |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1062R | ONSEMI |
功能相似  |
TRANSISTOR POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| 2SC4106 | SANYO |
功能相似 |
Switching Regulator Applications |
|
| 2SC5296 | SANYO |
功能相似 |
Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4237 | SHINDENGEN |
获取价格 |
Switching Power Transistor(10A NPN) |
|
| 2SC4237 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC4237 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
|
| 2SC4237 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-3P |
|
| 2SC4238 | PANASONIC |
获取价格 |
2SC4238 |
|
| 2SC4238TMG | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN |
|
| 2SC4238TSK | PANASONIC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SC4239H | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon |
|
| 2SC4240 | MITSUBISHI |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
|
| 2SC42404 | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
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