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2SC4236

更新时间： 2024-02-28 12:43:15

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	126K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC4236 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	800 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	100 W	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	8 MHz
最大关闭时间（toff）：	3800 ns	最大开启时间（吨）：	500 ns
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

2SC4236 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC4236

DESCRIPTION

·With TO-247 package

·Switching power transistor

·High breakdown voltage

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-247) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak

Base current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

1200

ꢀ

800

Open collector

I_CM

I_B

I_BM

Base current-Peak

P_D

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

100

150

-55~150

T_j

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction to case

1.25

ꢀ/W

12 3

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