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2SC4231

更新时间: 2024-02-20 22:09:04
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新电元 - SHINDENGEN 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 392K
描述
Switching Power Transistor(2A NPN)

2SC4231 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:800 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):8JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:2
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:30 W最大功率耗散 (Abs):30 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):8 MHz
最大关闭时间(toff):3800 ns最大开启时间(吨):500 ns
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

2SC4231 数据手册

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SHINDENGEN  
Switching Power Transistor  
HFX Series  
OUTLINE DIMENSIONS  
2SC4231  
Case : ITO-220  
(TP2V80HFX)  
Unit : mm  
2A NPN  
RATINGS  
AbsoluteMaximum Ratings  
Item  
StorageTemperature  
Symbol  
Tstg  
Tj  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Conditions  
Ratings Unit  
-55~150 ℃  
JunctionTemperature  
150  
1200  
800  
7
V
V
CollectortoBaseVoltage  
CollectortoEmitterVoltage  
EmittertoBaseVoltage  
V
CollectorCurrent DC  
I
2
4
1
2
A
A
C
CollectorCurrent Peak  
BaseCurrent DC  
I
CP  
I
B
BaseCurrent Peak  
I
BP  
TotalTransistorDissipation  
Tc=25℃  
W
PT  
Vdis  
TOR  
30  
2
0.5  
DielectricStrength  
MountingTorque  
Terminalstocase, AC 1minute  
(Recommendedtorque:0.3Nm)  
kV  
Nm  
●ElectricalCharacteristics(Tc=25℃)  
Item  
Symbol  
Conditions  
Ratings Unit  
Min800  
CollectortoEmitterSustainingVoltage  
CollectorCutoffCurrent  
V (sus) I =0.1A  
V
C
CEO  
I
AtratedVoltage  
Max 0.1 mA  
Max 0.1  
CBO  
I
CEO  
EmitterCutoffCurrent  
DC CurrentGain  
I
AtratedVoltage  
Max 0.1 mA  
Min8  
Min7  
EBO  
hFE  
hFEL  
VCE =5V, I =1A  
C
VCE =5V, I =1mA  
C
CollectortoEmitterSaturationVoltage  
V (sat) I =1A  
Max 1.0  
Max 1.5  
Max4.16 ℃/W  
TYP 8 M Hz  
Max 0.5  
V
V
C
CE  
BasetoEmitterSaturationVoltage  
ThermalResistance  
TransitionFrequency  
TurnonTime  
V (sat) I =0.2A  
B
BE  
θjc  
f
Junctiontocase  
VCE =10V, I =0.2A  
C
T
ton  
ts  
I =1A  
C
StorageTime  
I =0.2A, I =0.4A  
B1 B2  
Max 3.5 μs  
Max 0.3  
FallTime  
tf  
RL =250Ω, VBB2 =4V  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  

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