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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SUPER MINIMOLD, SC-70, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.65 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 2.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 110 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4180D15 | NEC |
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BJT |
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| 2SC4180D15-A | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SC4180D15-T1 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SUPER |
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| 2SC4180D15-T2-A | RENESAS |
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50mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SC4180D16 | NEC |
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BJT |
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| 2SC4180D16-A | NEC |
获取价格 |
50mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SC4180D16-T1 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SUPER |
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| 2SC4180D16-T2-A | RENESAS |
获取价格 |
50mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SC4180D16-T2-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,120V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-236VAR |
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| 2SC4180D17 | NEC |
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BJT |
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