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2SC4180

更新时间： 2024-01-02 04:14:16

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描述
Small dimension High DC current gain Collector-base voltage VCBO 120 V

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2SC4180 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.41
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	135
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	110 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4180 数据手册

SMD Type

Product specification

2SC4180

Features

Small dimension

High DC current gain

1 Emitter

2 Base

3 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

VCBO

VCEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

120

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^T

150

T^j

150

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Symbol

I^CBO

I^EBO

Testconditons

V^CB= 120V, I^E=0

Min

Typ

Max

0.05

900

Unit

ìA

V^EB= 5V, I^C=0

ìA

V^CE= 6V , I^C= 1mA*

V^CE= 6V , I^C= 0.1mA

135

100

600

580

0.07

DC current gain

h^FE

Collector-emitter saturation voltage *

Base-emitter voltage *

V^CE(sat)I^C= 10mA , I^B= 1mA

0.3

V^BE

f^T

V^CE=6V , I^C= 1mA

V^CE= 6V , I^E= -1mA

0.55 0.59 0.65

Gain bandwidth product

Output capacitance

110

1.6

MHz

Cob

VCB = 30V , IE = 0 , f = 1.0MHz

2.5

* Pulse test: tp

350 ìs; d

0.02.

hFE Classification

Marking

hFE

D15

135 270

D16

D17

D18

200 400

300 600

450 900

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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