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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220MF |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.24 | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 500 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 18 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC4173 | NEC | HIGH FREQUENCY AMPLIFIER AND SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| 2SC4173 | KEXIN | NPN Silicon Epitaxia |
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| 2SC4173 | TYSEMI | High gain bandwidth product: fT=200MHz min.Collector-base voltage VCBO 60 V |
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| 2SC4173-A | NEC | 暂无描述 |
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| 2SC4173B12 | NEC | BJT |
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| 2SC4173B12-A | RENESAS | 500mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
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