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2SC4159

更新时间: 2024-05-23 22:22:26
品牌 Logo 应用领域
蓝箭 - FOSHAN /
页数 文件大小 规格书
6页 926K
描述
TO-220F

2SC4159 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.83
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:160 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:15 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

2SC4159 数据手册

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2SC4159  
Rev.F Mar.-2016  
DATA SHEET  
描述 / Descriptions  
TO-220F 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package.  

特征 / Features  
耐压高。  
High voltage.  
用途 / Applications  
用于高电压开关,音频 100W 驱动。  
High voltage switching, AF 100W driver applications.  
内部等效电路 / Equivalent Circuit  
引脚排列 / Pinning  
1
2
3
PIN1Base  
PIN 2Collector  
PIN 3Emitter  
放大及印章代码 / hFE Classifications & Marking  
h
FE Classifications  
D
E
Symbol  
hFE Range  
60120  
100200  
http://www.fsbrec.com  
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