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2SC4155A

更新时间： 2024-02-09 01:04:28

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1页	47K
描述
Silicon NPN Epitaxial

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数据手册

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2SC4155A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SC4155A 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Silicon NPN Epitaxial

2SC4155A

Features

Small collector to emitter saturation voltage.

V^CE(sat)=0.3max

Excellent lineality of dc forward current gain.

Supper mini package for easy mounting.

1 Emitter

2 Base

3 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

V

50

50

V

6

200

V

Collector current

mA

mW

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^C

150

T^j

125

Tstg

–55 to +125

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

V^(BR)CEO

Testconditons

IC=100ìA,RBE=

Min

50

Typ

Max

Unit

V

Collector-emitter break down voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

I^CBO

VCB = 50 V, IE = 0

VEB = 4 V, IC = 0

0.1

0.1

820

0.3

ìA

ìA

I^EBO

h^FE

VCE = 6 V, IC = 1 mA

120

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V^{CE (sat)}IC = 100 mA, IB = 10 mA

V

MHz

pF

f^T

VCE = 6 V, IC = -10 mA

200

4

Collector output capacitance

Noise figure

C^ob

NF

VCB = 6 V, IE = 0, f = 1 MHz

V^CB= 6 V, IE = 0, f = 1 MHz, Rg=2kÙ

15

dB

hFE Classification

Marking

hFE

HQ

HR

HS

270 560

HT

120 270

180 390

390 820

1

www.kexin.com.cn

1

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