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2SC4131

更新时间： 2024-09-27 22:52:43
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体转换器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(DC-DC Converter, Emergency Lighting Inverter and General Purpose)

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2SC4131 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3PF
包装说明：TO-3PF, FM100, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.25外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：60 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：18 MHzBase Number Matches：1

2SC4131 数据手册

  
LOW VCE (s a t )  
2 S C4 1 3 1  
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor  
Application : DC-DC Converter, Emergency Lighting Inverter and General Purpose  
■
Absolute maximum ratings  
External Dimensions FM100(TO3PF)  
(Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
Symbol  
2SC4131  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
2SC4131  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
V
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
±0.2  
3.45  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
100  
VCB=100V  
10max  
10max  
50min  
50  
15  
IEBO  
VEB=15V  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=25mA  
V
±0.2  
ø3.3  
15(Pulse25)  
4
VCE=1V, IC=5A  
IC=5A, IB=80mA  
IC=5A, IB=80mA  
VCE=12V, IE=–1A  
VCB=10V, f=1MHz  
60 to 360  
0.5max  
1.2max  
18typ  
A
a
b
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
A
PC  
60(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
1.75  
2.15  
0.8  
Tj  
MHz  
pF  
Tstg  
COB  
210typ  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
1.05  
+0.2  
±0.1  
1.5  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
4.4  
C
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
tstg  
(µs)  
ton  
(µs)  
tf  
(µs)  
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
B
E
20  
4
5
10  
–5  
0.08  
–0.08  
2.0typ  
0.5typ  
0.4typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=1V)  
15  
15  
12  
1.3  
80mA  
1.0  
40mA  
10  
8
4
25mA  
15mA  
0.5  
15A  
5
10A  
IB=7mA  
0
0.002  
0
0
0
2
4
6
0.01  
0.1  
1
2
0
0.5  
1.0  
1.5  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=1V)  
(VCE=1V)  
3
1
1000  
500  
1000  
500  
Typ  
0.5  
0.3  
100  
70  
100  
70  
1
10  
100  
1000  
0.02  
0.1  
1
10 15  
0.02  
0.1  
1
10 15  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
–
ton•tstg•tf IC Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
60  
40  
20  
40  
5
VCC 20V  
IC=5A  
IB1=–IB2  
=80mA  
tstg  
10  
5
1
tf  
0.5  
1
ton  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
Without Heatsink  
0.1  
0.08  
0.1  
3.5  
0
0.4  
0.5  
1
5
10  
3
5
10  
50  
100  
0
50  
100  
150  
Collector Current IC(A)  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
89  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4131_07 SANKEN

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