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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC4130
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2SC4130

更新时间： 2024-09-27 22:52:43
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体稳压器开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose)

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2SC4130 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：15 MHzBase Number Matches：1

2SC4130 数据手册

  
2 S C4 1 3 0  
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (High Voltage and High Speed Switchihg Transistor)  
Application : Switching Regulator and General Purpose  
■Absolute maximum ratings  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
External Dimensions FM20(TO220F)  
Symbol  
2SC4130  
Symbol  
ICBO  
2SC4130  
100max  
100max  
400min  
10 to 30  
0.5max  
1.3max  
15typ  
Conditions  
Unit  
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
500  
400  
VCB=500V  
V
IEBO  
VEB=10V  
V
10  
V(BR)CEO  
hFE  
IC=25mA  
V
±0.2  
ø3.3  
a
b
7(Pulse14)  
2
VCE=4V, IC=3A  
IC=3A, IB=0.6A  
IC=3A, IB=0.6A  
VCE=12V, IE=–0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
A
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
A
PC  
30(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
±0.15  
1.35  
Tj  
MHz  
pF  
±0.15  
1.35  
Tstg  
COB  
50typ  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
0.85  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
2.54  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
±0.2  
2.2  
VCC  
(V)  
RL  
IC  
VBB1  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
tstg  
ton  
tf  
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
(Ω)  
(A)  
(V)  
(A)  
(A)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
B
C E  
200  
67  
3
10  
–5  
0.3  
–0.6  
2.2max  
1max  
0.5max  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat),VBE(sat) IC Temperature Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(IC/IB=5)  
(VCE=4V)  
7
7
6
6
4
2
2
4
2
0
VBE(sat)  
1
50mA  
VCE(sat)  
0
0.02  
0
0
1
2
3
4
0.05 0.1  
0.5  
1
5 7  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
Collector Current IC(A)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
ton•tstg•tf IC Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
4
1
5
50  
125˚C  
25˚C  
tstg  
VCC 200V  
–55˚C  
IC:IB1:–IB2=10:1:2  
1
10  
5
0.5  
ton  
0.5  
0.3  
tf  
0.1  
0.2  
2
1
10  
100  
1000  
0.5  
1
5
7
0.02  
0.05  
0.1  
0.5  
1
5
7
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Reverse Bias Safe Operating Area  
–
Pc Ta Derating  
20  
10  
5
30  
20  
10  
20  
10  
5
1
1
0.5  
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
L=3mH  
IB2=–0.5A  
Duty:less than 1%  
0.1  
0.1  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
0.05  
0.05  
Without Heatsink  
2
0
0.01  
0.01  
2
5
10  
50  
100  
500  
2
5
10  
50  
100  
500  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
88  
1

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