2SC4124

更新时间： 2024-02-07 15:22:30

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	139K
描述
0Silicon NPN Power Transistors

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2SC4124 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-3PML	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.85
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	800 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	4	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SC4124 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

0Silicon NPN Power Transistors

2SC4124

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·High breakdown voltage, high reliability.

·High speed

·Built in damper diode

APPLICATIONS

·Ultrahigh-definition CRT display

·Horizontal deflection output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

Maximum absolute ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

1500

800

Open collector

I_CM

Collector current-peak

T_C=25℃

T_a=25℃

℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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