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2SC4115-S

更新时间： 2022-02-26 11:21:23

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NPN Transistors

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2SC4115-S 数据手册

SMD Type

Transistors

NPN Transistors

2SC4115

1.70 0.1

■ Features

● Collector Current Capability IC=3A

● Collector Emitter Voltage V^CEO=20V

● Complements to 2SA1585

0.42 0.1

0.46 0.1

1.Base

2.Collector

3.Emitter

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector - Base Voltage

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Symbol

Rating

Unit

V

VCBO

VCEO

VEBO

40

20

6

3

Collector Current - Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

I

C

A

P

C

500

mW

T

J

150

℃

Storage Temperature Range

T

stg

-55 to 150

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

40

20

6

Typ

Max

Unit

V

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Emitter cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

Ic= 100 μA， I

Ic= 1 mA， I = 0

= 100μA， I

E= 0

B

I

E

C= 0

I

CBO

EBO

V

V

^CB= 30 V , I

EB= 5V , I

E

= 0

0.1

0.1

0.5

1.2

560

uA

V

I

C

=0

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

DC current gain

V

CE(sat)

BE(sat)

I

I

C

=2 A, I

B

=100mA

=100mA

V

C

=2 A, I

B

hFE

V

V

CE= 2V, I

CE= 2V, I

C= 100mA

120

200

Transition frequency

f

T

C= 0.5 A,f-100MHz

290

MHz

■ Classification of hfe

Type

Range

Marking

2SC4115-Q

120-270

4115Q

2SC4115-R

180-390

4115R

2SC4115-S

270-560

4115S

1

www.kexin.com.cn

1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4115S/Q	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC4115S/QR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4115S/QS	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4115S/RS	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
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