2SC4111

更新时间： 2024-02-02 14:55:10

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	102K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC4111 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3L
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	700 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	3	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	3.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4111 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC4111

DESCRIPTION

·With TO-3PL package

·High voltage ,high speed

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·For horizontal deflection output application

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1500

700

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

3.5

T_a=25℃

T_C=25℃

3.5

P_C

Collector power dissipation

150

-55~150

T_j

Junction temperature

Storage temperature

℃

T_stg

12 3 4

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