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2SC4106N

更新时间： 2024-09-12 20:26:07

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无锡固电 - ISC		/
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2页	245K
描述
Transistor

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2SC4106N 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SC4106N 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC4106

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage

: V_(BR)CEO= 400V(Min.)

·High Switching Speed

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for switching regulator applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

500

400

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

I_B

Base Current-Continuous

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Collector Power Dissipation@T_a=25℃

Junction Temperature

P_C

1.75

150

-55~150

T_J

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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