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2SC4102

更新时间： 2024-01-14 07:20:41

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TYSEMI		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	102K
描述
High breakdown voltage.(VCEO = 120V)

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2SC4102 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	270	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	140 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4102 数据手册

SSMMDD TTyyppee

TTr

raannDs

iis

sot

tdIooCerrss

Product specification

2SC4102

Features

High breakdown voltage.(VCEO = 120V)

1 Emitter

2 Base

3 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Rating

Unit

120

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

0.2

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

120

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

VCBO

VCEO

VEBO

ICBO

IEBO

hFE

IC=50ìA

IC=1mA

IE=50ìA

VCB=100V

VEB=4V

0.5

560

0.5

Emitter cutoff current

DC current transfer ratio

VCE=6V, IC=2mA

180

Collector-emitter saturation voltage

Output capacitance

VCE(sat) IC=10mA, IB=1mA

Cob

VCB=12V, IE=0A, f=1MHz

VCE=-12V, IE= 2mA, f=100MHz

2.5

Transition frequency

140

MHz

hFE Classification

Marking

Rank

hFE

180 390

270 560

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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