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2SC406

更新时间： 2024-10-31 14:52:47
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先科 - SWST /
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功率三极管

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2SC406-HAF  
NPN Silicon Epitaxial Planar Power Transistor  
Features  
• High Breakdown Voltage  
• High Current Capability  
• High Switching Speed  
• High Reliability  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
TO-220FB Plastic Package  
• Halogen and Antimony Free(HAF),  
RoHS compliant  
Applications  
• High frequency switching power supply  
• High frequency power transform  
• Commonly power amplifier circuit  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 )  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
Unit  
V
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
400  
200  
V
6
V
Collector Current  
7
10  
A
Peak Collector Current, Pulsed  
ICM  
A
Ptot  
48  
W
Total Power Dissipation  
TC = 25  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Tj  
- 55 to + 150  
- 55 to + 150  
Tstg  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJC  
Max.  
2.6  
Unit  
/W  
Thermal Resistance from Junction to Case  
Thermal Resistance from Junction to Ambient  
RθJA  
62.5  
/W  
1 / 5  
®
Dated: 21/12/2022 Rev: 02  
12345

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