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2SC3938GQ

更新时间： 2024-11-11 20:11:03

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	240K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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2SC3938GQ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.82	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	450 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3938GQ 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SC3938

Silicon NPN epitaxial planar type

For high-speed switching

Unit: mm

+0.10

+0.1

–0.0

0.15

0.3

–0.05

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.2

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (E-B short) V_CES

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

Symbol

Rating

Unit

10˚

100

1: Base

2: Emitter

3: Collector

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

°C

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

300

EIAJ: SC-70

SMini3-G1 Package

150

Marking Symbol: 2Y

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

0.1

200

0.25

Unit

µA



Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CB= 40 V, I_E= 0

I_EBO

V_EB= 4 V, I_C= 0

h_FE

V_CE= 1 V, I_C= 10 mA

V_CE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

V_BE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

0.17

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −10 mA, f = 200 MHz

450

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

(Common base, input open circuited)

Turn-on time

Turn-off time

Storage time

t_on

t_off

t_stg

Refer to the measurement circuit

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

60 to 120

90 to 200

Publication date: February 2004

SJC00148CED

12 3

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