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2SC3938G-R

更新时间： 2024-09-23 20:11:03

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	240K
描述
100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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2SC3938G-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	450 MHz	最大关闭时间（toff）：	17 ns
最大开启时间（吨）：	17 ns	Base Number Matches：	1

2SC3938G-R 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SC3938

Silicon NPN epitaxial planar type

For high-speed switching

Unit: mm

+0.10

+0.1

–0.0

0.15

0.3

–0.05

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.2

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (E-B short) V_CES

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

Symbol

Rating

Unit

10˚

100

1: Base

2: Emitter

3: Collector

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

°C

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

300

EIAJ: SC-70

SMini3-G1 Package

150

Marking Symbol: 2Y

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

0.1

200

0.25

Unit

µA



Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CB= 40 V, I_E= 0

I_EBO

V_EB= 4 V, I_C= 0

h_FE

V_CE= 1 V, I_C= 10 mA

V_CE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

V_BE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

0.17

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −10 mA, f = 200 MHz

450

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

(Common base, input open circuited)

Turn-on time

Turn-off time

Storage time

t_on

t_off

t_stg

Refer to the measurement circuit

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

60 to 120

90 to 200

Publication date: February 2004

SJC00148CED

12 3

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