Datasheet > 2SC3936G

2SC3936G

更新时间： 2024-09-23 21:15:23

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	303K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC3936G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	230 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3936G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SC3936G

Silicon NPN epitaxial planar type

For high-frequency amplification

■ Features

■ Package

• Code

SMini3-F2

• Marking Symbol: K

• Pin Name

1. Base

• Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF of

FM/AM radios

• S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment

and automatic insertion through the tape packing

2. Emitter

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

3. Collector

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

Collector current

I_C

P_C

T_j

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

h_FE

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Forward current transfer ratio ^*

Transition frequency

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CE= 10 V, I_C= 1 mA

150

250



f_T

V_CB= 10 V, I_E= −1 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= −1 mA, f = 10.7 MHz

230

1.3

MHz

Reverse transfer capacitance

(Common emitter)

C_re

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

70 to 160

110 to 250

Publication date: April 2007

SJC00362AED

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与2SC3936G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3936GB	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SC3936GC	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SC3936H	PANASONIC	获取价格	暂无描述
2SC3936TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC3937	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type(For UHF band low-noise amplification)
2SC3937G	PANASONIC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC3937H	PANASONIC	获取价格	暂无描述
2SC3937TX	PANASONIC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC3938	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type(For high speed switching)
2SC3938GQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI

与2SC3936G相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

4
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

6
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

78
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

68

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC3936G

2SC3936G 技术参数

2SC3936G 数据手册

与2SC3936G相关器件

与2SC3936G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC3936G

2SC3936G 技术参数

2SC3936G 数据手册

与2SC3936G相关器件

与2SC3936G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？