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2SC3936

更新时间： 2024-02-12 10:34:54

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Silicon NPN Epitaxial Planar

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2SC3936 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	230 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3936 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Silicon NPN Epitaxial Planar

2SC3936

Features

Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF of

FM/AM radios.

1 Emitter

2 Base

3 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^C

150

T^j

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

IC = 10ìA, IE = 0

Min

Typ

Max

250

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

V^CBO

V^CEO

V^EBO

h^FE

IC = 2 mA, IB = 0

IE = 10 ìA, IC = 0

VCE = 10 V, IC = 1 mA

Forward current transfer ratio

Transition frequency

150

f^T

VCB = 10 V, IE = -1 mA, f = 200 MHz

VCB = 10 V, IE = -1 mA, f = 10.7 MHz

230

1.3

MHz

Reverse transfer capacitance

C^re

hFE Classification

Marking

h^FE

70 160

110 250

www.kexin.com.cn

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