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2SC3932T

更新时间： 2024-02-15 06:20:07
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其他 - ETC 晶体晶体管
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4页 87K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-70

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2SC3932T 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.82
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最小功率增益 (Gp)：20 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1200 MHzBase Number Matches：1

2SC3932T 数据手册

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Transistors  
2SC3932  
Silicon NPN epitaxial planer type  
Unit: mm  
For high-frequency amplification / oscillation / mixing  
+±.1±  
+±.1  
–±.±  
±.15  
±.3  
–±.±5  
3
I Features  
• High transition frequency fT  
1
2
• S-mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
(±.65) (±.65)  
1.3±±.1  
2.±±±.2  
1±°  
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
30  
1: Base  
20  
V
2: Emitter  
3: Collector  
EIAJ: SC-70  
S-Mini Type Package  
3
50  
V
mA  
mW  
°C  
°C  
Marking Symbol: R  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
150  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
I Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Collector to base voltage  
Emitter to base voltage  
Forward current transfer ratio  
Base to emitter voltage  
Transition frequency *  
Symbol  
VCBO  
VEBO  
hFE  
Conditions  
Min  
30  
3
Typ  
Max  
Unit  
V
IC = 100 µA, IE = 0  
IE = 10 µA, IC = 0  
V
VCB = 10 V, IE = −2 mA  
25  
250  
VBE  
fT  
VCB = 10 V, IE = −2 mA  
720  
mV  
MHz  
pF  
VCB = 10 V, IE = −15 mA, f = 200 MHz  
VCB = 10 V, IE = −1 mA, f = 10.7 MHz  
VCE= 6 V, IC = 0, f = 1 MHz  
VCB = 10 V, IE = −1 mA, f = 200 MHz  
800  
1 600  
1.5  
Cre  
1
Common emitter reverse transfer  
capacitance  
Crb  
0.8  
20  
pF  
Power gain  
PG  
dB  
Note) : Rank classification  
*
Rank  
T
S
No-rank  
fT (MHz)  
800 to 1 400 1 000 to 1 600 800 to 1 600  
RT RS  
Marking symbol  
R
Product of no-rank is not classified and have no indication for rank.  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述

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