2SC3929

更新时间： 2024-02-01 10:56:05

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描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)

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2SC3929 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.83
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	350 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3929 数据手册

Transistor

2SC3929, 2SC3929A

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency output amplification

Unit: mm

Complementary to 2SA1531 and 2SA1531A

Features

Low noise voltage NV.

■

2.1±0.1

●

0.425

1.25±0.1

0.425

●

High foward current transfer ratio h_FE

●

S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

2SC3929

Symbol

Ratings

Unit

Collector to

V_CBO

base voltage

Collector to

2SC3929A

2SC3929

V_CEO

2SC3929A

emitter voltage

0.2±0.1

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

100

˚C

1:Base

2:Emitter

3:Collector

EIAJ:SC–70

S–Mini Type Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

150

T_j

150

(2SC3929)

Marking symbol : S

(2SC3929A)

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

100

Unit

V_CB= 10V, I_E= 0

Collector cutoff current

I_CEO

V_CE= 10V, I_B= 0

µA

Collector to base

voltage

2SC3929

2SC3929A

V_CBO

I_C= 10µA, I_E= 0

Collector to emitter 2SC3929

V_CEO

V_EBO

I_C= 2mA, I_B= 0

voltage

2SC3929A

Emitter to base voltage

I_E= 10µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= 5V, I_C= 2mA

I_C= 100mA, I_B= 10mA

180

700

0.6

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter voltage

V_BE

f_T

_CE= 1V, I_C= 100mA

0.7

V_CE= 10V, I_C= 1mA, G_V= 80dB

R_g= 100kΩ, Function = FLAT

V_CB= 5V, I_E= –2mA, f = 200MHz

Noise voltage

150

Transition frequency

MHz

Rank classification

FE1

Rank

h_FE

180 ~ 360

260 ~ 520

360 ~ 700

2SC3929

Marking

Symbol

2SC3929A

12 3

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