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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC3927
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2SC3927

更新时间： 2024-02-29 02:45:50
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体稳压器开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose)

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2SC3927 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3P
包装说明：MT-100, TO-3P, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.4
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：550 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：120 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：6 MHz
Base Number Matches：1

2SC3927 数据手册

  
2 S C3 9 2 7  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage Switchihg Transistor)  
Application : Switching Regulator and General Purpose  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
■Absolute maximum ratings  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
Conditions  
2SC3927  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Symbol  
ICBO  
2SC3927  
Unit  
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
VCB=800V  
VEB=7V  
100max  
100max  
550min  
10 to 28  
0.5max  
1.2max  
6typ  
900  
V
±0.1  
2.0  
9.6  
IEBO  
550  
V
IC=10mA  
V(BR)CEO  
hFE  
7
10(Pulse15)  
5
V
a
b
±0.1  
ø3.2  
VCE=4V, IC=5A  
IC=5A, IB=1A  
IC=5A, IB=1A  
VCE=12V, IE=–1A  
VCB=10V, f=1MHz  
A
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
A
PC  
120(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
2
Tj  
MHz  
pF  
3
105typ  
Tstg  
COB  
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
–55 to +150  
1.05  
0.65  
1.4  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C
E
Weight : Approx 6.0g  
a. Type No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
b. Lot No.  
250  
50  
5
10  
–5  
0.75  
–1.5  
1max  
5max  
0.5max  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat),VBE(sat) IC Temperature Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(IC/IB=5)  
(VCE=4V)  
10  
10  
8
VBE(sat)  
1
8
6
4
2
0
6
4
IB=100mA  
2
VCE(sat)  
0
0.02  
0
0
1
2
3
4
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
Collector Current IC(A)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
ton•tstg•tf IC Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
2
10  
5
50  
tstg  
VCC 250V  
1
IC:IB1:–IB2=10:1.5:3  
0.5  
1
0.5  
ton  
10  
5
tf  
0.1  
0.2  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.5  
1
5
10  
0.02  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Reverse Bias Safe Operating Area  
–
Pc Ta Derating  
20  
10  
5
20  
10  
5
120  
100  
1
1
0.5  
0.5  
50  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
L=3mH  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
0.1  
0.1  
IB2=–1.0A  
Duty:less than 1%  
0.05  
0.05  
Without Heatsink  
3.5  
0
0.02  
0.02  
50  
10  
50  
100  
500 600  
100  
500  
1000  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
82  
1

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2SC3927 替代型号

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