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2SC3902

更新时间： 2024-01-25 21:38:09
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 335K
描述
Bipolar Transistor

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2SC3902 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.35
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：10 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：120 MHz
VCEsat-Max：0.45 VBase Number Matches：1

2SC3902 数据手册

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Ordering number : EN2101E  
2SA1507/2SC3902  
Bipolar Transistor  
http://onsemi.com  
(–)  
(–)  
(
) (  
)
160V,  
1.5A, Low V  
CE  
sat , PNP NPN Single TO-126ML  
Applications  
•
Color TV audio output, converters, inverters  
Features  
•
•
•
High breakdown voltage  
Large current capacity  
Adoption of FBET and MBIT process  
•
The plastic-covered heat sink eliminates the need for an insulator when mounting the 2SA1507/2SC3902  
( ): 2SA1507  
Specifications  
at Ta=25°C  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
(--)180  
(--)160  
(--)6  
CBO  
V
V
CEO  
V
V
EBO  
I
C
(--)1.5  
(--)2.5  
1.5  
A
Collector Current (Pulse)  
I
A
CP  
W
W
Collector Dissipation  
P
C
Tc=25  
C
10  
°
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
C
°
°
Tstg  
--55 to +150  
C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating  
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Package Dimensions  
unit : mm (typ)  
Product & Package Information  
• Package  
: TO-126ML  
7516A-002  
• JEITA, JEDEC  
: TO-126  
• Minimum Packing Quantity : 200 pcs./bag  
8.0  
4.0  
2SA1507S  
2SA1507T  
2SC3902S  
2SC3902T  
Marking  
3.6  
3.3  
1.0  
1.0  
A1507  
C3902  
RANK LOT No.  
RANK LOT No.  
1.6  
0.8  
0.8  
0.75  
0.7  
Electrical Connection  
1
2
3
2
2
1
1 : Emitter  
2 : Collector  
3 : Base  
3
3
2.4  
4.8  
TO-126ML  
1
2SA1507  
2SC3902  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
August, 2013  
90512 TKIM/21710CB TKIM/53002RM(KT)/71598HA(KT)O2196TS(KOTO) 8-9520/3307KI/9116AT,TS No.2101-1/7  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3902R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
2SC3902S ONSEMI

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 		Bipolar Transistor
2SC3902T ONSEMI

获取价格

 		Bipolar Transistor
2SC3904 PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN epitaxial planer type(For 2GHz band low-noise amplification)
2SC3904TMG PANASONIC

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
2SC3904TSK PANASONIC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
2SC3906K TYSEMI

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 		High breakdown voltage.Collector-base voltage VCBO 120 V
2SC3906K ROHM

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 		High-voltage Amplifier Transistor(120V, 50mA)
2SC3906K KEXIN

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 		High-voltage Amplifier Transistor
2SC3906K_15 KEXIN

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 		NPN Transistors

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