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2SC3890

更新时间： 2024-11-19 22:13:43
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三垦 - SANKEN 晶体稳压器开关晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose)

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2SC3890 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.77外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：7 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10 MHz
Base Number Matches：1

2SC3890 数据手册

  
2 S C3 8 9 0  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage and High Speed Switchihg Transistor)  
Application : Switching Regulator and General Purpose  
External Dimensions FM20(TO220F)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
Symbol  
2SC3890  
Symbol  
ICBO  
2SC3890  
100max  
100max  
400min  
10 to 30  
0.5max  
1.3max  
10typ  
Unit  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
500  
400  
VCB=500V  
V
IEBO  
VEB=10V  
V
V(BR)CEO  
hFE  
10  
IC=25mA  
V
±0.2  
ø3.3  
a
b
VCE=4V, IC=3A  
IC=3A, IB=0.6A  
IC=3A, IB=0.6A  
VCE=12V, IE=–0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
7(Pulse14)  
2
A
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
A
PC  
30(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
±0.15  
1.35  
Tj  
MHz  
pF  
±0.15  
1.35  
Tstg  
COB  
50typ  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
0.85  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
2.54  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
±0.2  
2.2  
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
RL  
IC  
VBB1  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
ton  
tstg  
tf  
VCC  
(V)  
(Ω)  
(A)  
(V)  
(A)  
(A)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
B
C E  
66  
3
10  
–5  
0.3  
–0.6  
1max  
3max  
0.5max  
200  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat),VBE(sat) IC Temperature Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(IC/IB=5)  
(VCE=4V)  
7
7
6
6
4
2
VBE(sat)  
1
4
100mA  
2
0
VCE(sat)  
0
0.02 0.05 0.1  
0
0
1
2
3
4
0.5  
1
5 7  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
Collector Current IC(A)  
–
–
ton•tstg•tf IC Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
5
1
7
5
70  
50  
tstg  
VCC 200V  
IC:IB1:IB2=10:1:–2  
Typ  
1
0.5  
ton  
0.5  
0.3  
10  
7
tf  
0.1  
0.2  
1
10  
100  
1000  
0.5  
1
5
7
0.02  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
7
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Reverse Bias Safe Operating Area  
–
Pc Ta Derating  
20  
10  
5
30  
20  
10  
20  
10  
5
1
1
Without Heatsink  
Natural Cooling  
L=3mH  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
0.5  
0.5  
–IB2=1A  
Duty:less than 1%  
Without Heatsink  
2
0
0.1  
0.1  
5
5
10  
50  
100  
500  
10  
50  
100  
500  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
81  
1

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