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2SC3890

更新时间: 2024-01-11 14:25:10
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页数 文件大小 规格书
4页 114K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2SC3890 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.77外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):7 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):30 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):10 MHz
Base Number Matches:1

2SC3890 数据手册

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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
2SC3890  
DESCRIPTION  
·With TO-220F package  
·High voltage  
·High speed switching  
APPLICATIONS  
·For switching regulator and  
general purpose applications  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
2
Collector  
Emitter  
Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol  
3
Absolute maximum ratings (Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
CONDITIONS  
VALUE  
500  
400  
10  
UNIT  
V
Open emitter  
Open base  
V
Open collector  
V
7
A
ICM  
Collector current-peak  
Base current  
14  
A
IB  
2
A
PC  
Collector dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25  
30  
W
Tj  
150  
-55~150  
Tstg  

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