2SC3857P

更新时间： 2024-09-15 13:04:15

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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1页	27K
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MT200, 3 PIN

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2SC3857P 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3857P 数据手册

2 S C3 8 5 7

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1493)

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions MT-200

■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

I^CBO

Conditions

2SC3857

Symbol

2SC3857

Unit

µA

Unit

±0.2

6.0

±0.3

36.4

V^CB=200V

100max

200min

50min

V^CBO

VCEO

VEBO

200

±0.2

24.4

2.1

±0.1

2-ø3.2

IEBO

V^EB=6V

200

V(BR)CEO

hFE

I^C=50mA

V^CE=4V, IC=5A

I^C=10A, IB=1A

V^CE=12V, IE=–0.5A

V^CB=10V, f=1MHz

MHz

VCE(sat)

3.0max

20typ

150(Tc=25°C)

150

°C

COB

250typ

+0.2

-0.1

0.65

+0.2

-0.1

1.05

Tstg

–55 to +150

h^FERank O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)

+0.3

-0.1

3.0

±0.1

5.45

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Weight : Approx 18.4g

a. Type No.

b. Lot No.

V^CC

(V)

R^L

I^C

VBB1

V^BB2

(V)

I^B1

I^B2

ton

tstg

(Ω)

(A)

(V)

(A)

(µs)

–5

0.5

–0.5

0.3typ

2.4typ

0.4typ

–

I^CV^CECharacteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

I^CV^BETemperature Characteristics (Typical)

(V^CE=4V)

IC=15A

10A

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base Current I^B(A)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

300

125˚C

Typ

0.5

100

25˚C

100

–30˚C

0.02

0.1

0.5

10 15

100

Time t(ms)

1000 2000

0.1

0.5

10 15

Collector Current IC(A)

Collector Current I^C(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

160

10ms

120

Typ

0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

Without Heatsink

0.1

100

300

–0.02

–0.1

–1

Emitter Current IE(A)

–10

100

125

150

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

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