2SC3841-A

更新时间： 2024-01-22 09:20:00

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日电电子 - NEC		振荡器晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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8页	97K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3

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2SC3841-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MINIMOLD PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	基于收集器的最大容量：	1.5 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3841-A 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC3841

UHF OSCILLATOR AND UHF MIXER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

MINI MOLD

DESCRIPTION

The 2SC3841 is an NPN silicon epitaxial transistor intended for use as

UHF oscillators and a UHF mixer in a tuner of a TV receiver.

The device features stable oscillation and small frequency drift against

any change of the supply voltage and the ambient temperature.

It is designed for use in small type equipments especially recommendd

for Hybried Integrated Circuit and other applications.

PACKAGE DIMENSIONS

(Units: mm)

2.8±0.2

1.5

+0.1

−0.15

0.65

FEATURES

•

High Gain Bandwidth Procuct; f^T= 4.0 GHz TYP.

r^b’b= 4.0 ps TYP.

Low Collector to Base Time Constant; C^C

Low Output Capacitance; C^ob= 1.5 pF MAX.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 C)

Marking

Maximum Voltages and Current

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

PIN CONNECTIONS

Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation

Maximum Power Temperutures

Junction Temperature

1. Emitter

2. Base

3. Collector

P^T

200

T^j

150

Storage Temperature

T^stg

55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25 C)

CHARACTERISTIC

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

0.1

UNIT

TEST CONDITIONS

I^CBO

V^CB= 10 V, I^E= 0

h^FE

100

0.09

4.0

200

0.5

V^CE= 10 V, I^C= 5.0 mA

I^C= 10 mA, I^B= 1.0 mA

V^CE= 10 V, I^E= 5.0 mA

Collector Saturation Voltage

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

V^CE(sat)

f^T

GHz

2.5

C^ob

0.85

4.0

1.5

V^CB= 10 V, I^E= 0, f = 1.0 MHz

V^CE= 10 V, I^E= 5.0 mA, f = 31.9 MHz

r^b’b

Collector to Base Time Constatnt

C^C

10.0

h^FEClassification

Class

Marking

h^FE

T62/P *

T62

T63/Q *

T63

T64/R *

T64

40 to 80

60 to 120

100 to 200

* Old Specification / New Specification

Document No. P10362EJ1V1DS00 (1st edition)

Date Published March 1997 N

Printed in Japan

1986

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SC3841P	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SOT-346
2SC3841-P	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC3841-P-A	NEC	获取价格	暂无描述
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