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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.35 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3840L | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
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| 2SC3840M | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
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| 2SC3840-M | RENESAS |
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1A, 600V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SC3840-M-AZ | RENESAS |
获取价格 |
1A, 600V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SC3841 | NEC |
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UHF OSCILLATOR AND UHF MIXER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
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| 2SC3841 | FOSHAN |
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SOT-23 |
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| 2SC3841-A | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC3841-LT62 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC3841-LT63 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
| 2SC3841-LT64 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
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