是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.35 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 1 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 30 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 15 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2SC3840 | RENESAS |
类似代替 ![]() |
SILICON POWER TRANSISTOR |
![]() |
2SC3840 | NEC |
功能相似 ![]() |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
![]() |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SC3840K | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
![]() |
2SC3840-K | NEC |
获取价格 |
1A, 600V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
![]() |
2SC3840L | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
![]() |
2SC3840M | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
![]() |
2SC3840-M | RENESAS |
获取价格 |
1A, 600V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
![]() |
2SC3840-M-AZ | RENESAS |
获取价格 |
1A, 600V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
![]() |
2SC3841 | NEC |
获取价格 |
UHF OSCILLATOR AND UHF MIXER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
![]() |
2SC3841 | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-23 |
![]() |
2SC3841-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
![]() |
2SC3841-LT62 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
![]() |