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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.55 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 2 pF | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC383TM | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TV FINAL PICTURE IF AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC383TM | CDIL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2SC383TM | FOSHAN |
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TO-92 |
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| 2SC3840 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2SC3840 | RENESAS |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2SC3840-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SC3840-AZ |
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| 2SC3840K | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
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| 2SC3840-K | NEC |
获取价格 |
1A, 600V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SC3840L | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
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| 2SC3840M | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
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